超高真空蒸着装置
抵抗加熱式の蒸着装置となっており、高真空領域で単結晶膜を作製することができます。
基板上に平滑な金の(111)面を形成することができる為、原子間力顕微鏡(AFM)、走査型プローブ顕微鏡(SPM)での測定用基板、また自己組織化単分子膜(SAM)の成長基板の作製に適しています。
- ウエハサイズ 最大4インチ×1 (専用ホルダ)
- バッチ式
- UHV仕様 (6.65×10-6 Pa以下)
- 抵抗加熱蒸着、高温加熱
抵抗加熱式の蒸着装置となっており、高真空領域で単結晶膜を作製することができます。
基板上に平滑な金の(111)面を形成することができる為、原子間力顕微鏡(AFM)、走査型プローブ顕微鏡(SPM)での測定用基板、また自己組織化単分子膜(SAM)の成長基板の作製に適しています。