熱CVD装置

ホットウォール式の熱CVD装置です。最高900℃の加熱制御が行えます。
石英ガラス等の管状炉になっています。
化合物半導体のエピタキシャル成長など、純度を重視するプロセスに利用できます。
直感的に操作が行える手動装置の為、簡易的な実験を行う研究室、教育機関に適しています。

• 有効エリア　ヒータ中央から±200㎜ (炉外径φ100㎜ 仕様)
• バッチ式
• MV仕様 (0.1 Pa以下)
• ホットウォール式